order_bg

pwodwi yo

Mak nouvo orijinal eleman elektwonik IC Chip IRF3205STRLPBF sikwi entegre

deskripsyon kout:


Pwodwi detay

Tags pwodwi

Atribi pwodwi

TIP DESKRIPSYON
Kategori Pwodwi Semiconductor Disrè

Tranzistò - FETs, MOSFETs - Single

Mfr Infineon teknoloji
Seri HEXFET®
Pake Tap & Bobine (TR)

Koupe tep (CT)

Digi-Reel®

Estati pwodwi Aktif
Kalite FET N-chanèl
Teknoloji MOSFET (oksid metal)
Drenaj Sous Voltage (Vdss) 55 V
Kouran - Drenaj kontinyèl (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Kondwi vòltaj (Max Rds sou, Min Rds sou) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 146 nC @ 10 V
Vgs (Max) ± 20V
Antre kapasite (Ciss) (Max) @ Vds 3247 pF @ 25 V
FET Karakteristik -
Dissipasyon pouvwa (Max) 200W (Tc)
Tanperati Fonksyònman -55°C ~ 175°C (TJ)
Kalite aliye Sifas mòn
Pake Aparèy Founisè D2PAK
Pake / Ka TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nimewo pwodwi de baz IRF3205

Dokiman & Medya

TIP RESOUS LYEN
Fich done yo IRF3205(S,L)PbF
Lòt Dokiman ki gen rapò Sistèm nimero pati IR
Modil Fòmasyon pwodwi High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
En pwodwi Sistèm tretman done
Fich done HTML IRF3205(S,L)PbF
Modèl EDA IRF3205STRLPBF pa SnapEDA

IRF3205STRLPBF pa Ultra Librarian

Modèl simulation IRF3205SPBF Sabre Modèl

Klasifikasyon anviwònman ak ekspòtasyon

ATRIBITE DESKRIPSYON
Estati RoHS ROHS3 Konfòme
Nivo sansiblite imidite (MSL) 1 (san limit)
Estati REACH REACH San afekte
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Lòt Resous

ATRIBITE DESKRIPSYON
Lòt Non IRF3205STRLPBF-ND

SP001576758

IRF3205STRLPBFTR

IRF3205STRLPBFDKR

IRF3205STRLPBFCT

Pake estanda 800

Yon tranzistò se yon aparèy semi-conducteurs ki souvan itilize nan anplifikatè oswa switch elektwonikman kontwole.Tranzistò yo se blòk bilding debaz ki kontwole operasyon òdinatè, telefòn mobil, ak tout lòt sikui elektwonik modèn.

Akòz vitès repons rapid yo ak gwo presizyon, tranzistò yo ka itilize pou yon gran varyete fonksyon dijital ak analòg, ki gen ladan anplifikasyon, switching, regilatè vòltaj, modulation siyal ak osilator.Tranzistò yo ka pake endividyèlman oswa nan yon ti zòn ki ka kenbe 100 milyon oswa plis tranzistò kòm yon pati nan yon sikwi entegre.

Konpare ak tib elektwon an, tranzistò a gen anpil avantaj:

Eleman pa gen okenn konsomasyon

Kèlkeswa jan tib la bon, li pral piti piti deteryore akòz chanjman nan atòm katod ak flit kwonik lè.Pou rezon teknik, tranzistò yo te gen menm pwoblèm lè yo te fè premye.Avèk pwogrè nan materyèl ak amelyorasyon nan anpil aspè, tranzistò yo anjeneral dire 100 a 1,000 fwa pi long pase tib elektwonik.

Konsome anpil ti pouvwa

Li se sèlman yon dizyèm oswa dizèn nan youn nan tib la elèktron.Li pa bezwen chofe filaman an pou pwodui elektwon gratis tankou tib elèktron.Yon radyo tranzistò sèlman bezwen kèk pil sèk pou koute pou sis mwa nan yon ane, ki difisil pou fè pou radyo tib.

Pa bezwen prechofe

Travay le pli vit ke ou vire li.Pou egzanp, yon radyo tranzistò ale le pli vit ke li se limen, ak yon televizyon tranzistò mete kanpe yon foto le pli vit ke li se limen.Ekipman tib vakyòm pa ka fè sa.Apre bòt la, tann yon ti tan pou tande son an, wè foto a.Klèman, nan militè, mezi, anrejistreman, elatriye, tranzistò yo trè avantaje.

Fò ak serye

100 fwa pi serye pase tib elèktron, rezistans chòk, rezistans Vibration, ki se enprenabl tib elèktron.Anplis de sa, gwosè a nan tranzistò a se sèlman yon dizyèm nan yon sèl-santyèm nan gwosè a nan tib la elèktron, trè ti kras lage chalè, yo ka itilize nan konsepsyon ti, konplèks, sikwi serye.Malgre ke pwosesis fabrikasyon tranzistò a egzak, pwosesis la se senp, ki se fezab pou amelyore dansite enstalasyon eleman yo.


  • Previous:
  • Pwochen:

  • Ekri mesaj ou la a epi voye l ba nou