XC7A35T-2FGG484I nouvo orijinal entegre sikwi XC7A35T IC chip konpozan elektwonik microchip pwofesyonèl BOM matche
Atribi pwodwi
| TIP | DESKRIPSYON |
| Kategori | Sikwi entegre (IC) |
| Mfr | AMD Xilinx |
| Seri | Artix-7 |
| Pake | Plato |
| Estati pwodwi | Aktif |
| Kantite LAB/CLB | 2600 |
| Kantite Eleman Lojik/Selil | 33280 |
| Total Bits RAM | 1843200 |
| Kantite I/O | 250 |
| Voltage - Pwovizyon pou | 0.95V ~ 1.05V |
| Kalite aliye | Sifas mòn |
| Tanperati Fonksyònman | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| Pake / Ka | 484-BBGA |
| Pake Aparèy Founisè | 484-FBGA (23×23) |
| Nimewo pwodwi de baz | XC7A35 |
Rapòte Erè Enfòmasyon sou Pwodwi
View Menm jan an
Dokiman & Medya
| TIP RESOUS | LYEN |
| Fich done yo | Artix-7 FPGAs Datasheet |
| Enfòmasyon sou anviwònman an | Xilinx REACH211 Sèt |
| En pwodwi | USB104 A7 Artix-7 FPGA Komisyon Konsèy Devlopman |
Klasifikasyon anviwònman ak ekspòtasyon
| ATRIBITE | DESKRIPSYON |
| Estati RoHS | ROHS3 Konfòme |
| Nivo sansiblite imidite (MSL) | 3 (168 èdtan) |
| Estati REACH | REACH San afekte |
| ECCN | 3A991D |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
Sikwi entegre
Yon sikwi entegre oswa sikwi entegre monolitik (ki refere tou kòm yon IC, yon chip, oswa yon microchip) se yon serisikui elektwoniksou yon ti moso plat (oswa "chip") nansemiconductormateryèl, anjeneralSilisyòm.Gwo nimewonan tiMOSFET yo(metal-oksid-semi-kondiktètranzistò ki gen efè jaden) entegre nan yon ti chip.Sa a lakòz sikui ki pi piti, pi vit, ak mwens chè pase sa yo ki fèt ak disrè.konpozan elektwonik.IC yopwodiksyon an maskapasite, fyab, ak apwòch bilding nankonsepsyon sikwi entegrete asire adopsyon rapid nan estanda ICs nan plas desen ki sèvi ak disrètranzistò.IC yo kounye a yo itilize nan nòmalman tout ekipman elektwonik epi yo te revolusyone mond lan nanelektwonik.Òdinatè,telefòn mobil yoak lòtaparèy Kayyo kounye a se pati inextricable nan estrikti a nan sosyete modèn, ki fè posib pa gwosè a ti ak pri ki ba nan ICs tankou modèn.processeurs òdinatèepimikrokontwolè.
Trè-gwo-echèl entegrasyonte fè pratik pa avansman teknolojik nanmetal-oksid-silikon(MOS)fabrikasyon aparèy semi-conducteurs.Depi orijin yo nan ane 1960 yo, gwosè, vitès, ak kapasite chips yo te pwogrese anpil, kondwi pa pwogrè teknik ki anfòm pi plis ak plis tranzistò MOS sou chips ki gen menm gwosè a - yon chip modèn ka gen anpil milya tranzistò MOS nan yon zòn gwosè yon zong imen.Avans sa yo, apeprè swivLwa Moore, fè chips òdinatè yo jodi a posede dè milyon de fwa kapasite ak dè milye de fwa vitès chips òdinatè yo nan kòmansman ane 1970 yo.
IC yo gen de avantaj prensipal sousikui disrè: pri ak pèfòmans.Pri a ba paske chips yo, ak tout eleman yo, yo enprime kòm yon inite pafotolitografiolye ke yo te konstwi yon sèl tranzistò nan yon moman.Anplis de sa, IC pake itilize anpil mwens materyèl pase sikui disrè.Pèfòmans wo anpil paske konpozan IC a chanje byen vit epi konsome relativman ti kras pouvwa akòz ti gwosè yo ak pwoksimite yo.Dezavantaj prensipal la nan IC se pri a wo nan konsepsyon yo ak fabrike yo mande yofotomask.Pri segondè inisyal sa a vle di IC yo se sèlman komèsyalman solid lèvolim pwodiksyon segondèyo prevwa.
Tèminoloji[edite]
Yonsikwi entegredefini kòm:[1]
Yon kous kote tout oswa kèk nan eleman sikwi yo inséparablman asosye ak elektrik entèkonekte pou ke li konsidere kòm endivizib pou rezon konstriksyon ak komès.
Sikui ki satisfè definisyon sa a ka konstwi lè l sèvi avèk anpil diferan teknoloji, ki gen ladantranzistò fim mens,teknoloji fim epè, oswasikui entegre ibrid.Sepandan, nan itilizasyon jeneralsikwi entegrete vin refere a konstriksyon an sikwi yon sèl pyès orijinal ke yo rekonèt kòm yonsikwi entegre monolitik, souvan bati sou yon sèl moso Silisyòm.[2][3]
Istwa
Yon tantativ bonè nan konbine plizyè konpozan nan yon sèl aparèy (tankou IC modèn) se teLoewe 3NFtib vakyòm soti nan ane 1920 yo.Kontrèman ak ICs, li te fèt nan bi pou yoevite taks, tankou nan Almay, reseptè radyo yo te gen yon taks ki te prelve depann sou konbyen moun ki gen tib yon reseptè radyo te genyen.Li pèmèt reseptè radyo yo gen yon sèl detantè tib.
Konsèp bonè nan yon sikwi entegre tounen nan 1949, lè enjenyè AlmanWerner Jacobi[4](Siemens AG)[5]te depoze yon patant pou yon aparèy anplifikasyon semi-conducteurs ki tankou sikwi entegre[6]ki montre senktranzistòsou yon substra komen nan yon twa etapanplifikatèaranjman.Jacobi divilge ti ak bon macheaparèy pou tandekòm aplikasyon tipik endistriyèl nan patant li.Yon itilizasyon komèsyal imedya patant li pa te rapòte.
Yon lòt defann byen bonè nan konsèp la teGeoffrey Dummer(1909–2002), yon syantis rada k ap travay pou laEtablisman rada wayalnan Britanik yoMinistè defans.Dummer te prezante lide a bay piblik la nan Symposium sou Pwogrè nan Kalite Konpozan Elektwonik nanWashington, DC7 me 1952.[7]Li te bay anpil senpozyòm piblikman pou pwopaje lide li yo e li te eseye bati yon sikwi konsa an 1956. Ant 1953 ak 1957,Sidney Darlingtonak Yasuo Tarui (Laboratwa elektwoteknik) pwopoze desen chip menm jan an kote plizyè tranzistò te kapab pataje yon zòn aktif komen, men pa te gen okennizolasyon elektrikpou separe yo youn ak lòt.[4]
Chip la monolitik sikwi entegre te pèmèt pa envansyon yo nanpwosesis planpaJean Hoerniepip–n izolasyon junctionpaKurt Lehovec.Envansyon Hoerni a te bati souMohamed M. AtallaTravay la sou pasivasyon sifas, ansanm ak travay Fuller ak Ditzenberger sou difizyon bor ak enpurte fosfò nan Silisyòm,Carl Froschak travay Lincoln Derick sou pwoteksyon sifas, akChih-Tang SahTravay la sou maskin difizyon pa oksid la.[8]
