IPD068P03L3G nouvo orijinal konpozan elektwonik IC chip MCU BOM sèvis nan stock IPD068P03L3G
Atribi pwodwi
| TIP | DESKRIPSYON |
| Kategori | Pwodwi Semiconductor Disrè |
| Mfr | Infineon teknoloji |
| Seri | OptiMOS™ |
| Pake | Tap & Bobine (TR) Koupe tep (CT) Digi-Reel® |
| Estati pwodwi | Aktif |
| Kalite FET | P-chanèl |
| Teknoloji | MOSFET (oksid metal) |
| Drenaj Sous Voltage (Vdss) | 30 V |
| Kouran - Drenaj kontinyèl (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Kondwi vòltaj (Max Rds sou, Min Rds sou) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Antre kapasite (Ciss) (Max) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
| FET Karakteristik | - |
| Dissipasyon pouvwa (Max) | 100W (Tc) |
| Tanperati Fonksyònman | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Kalite aliye | Sifas mòn |
| Pake Aparèy Founisè | PG-TO252-3 |
| Pake / Ka | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Nimewo pwodwi de baz | IPD068 |
Dokiman & Medya
| TIP RESOUS | LYEN |
| Fich done yo | IPD068P03L3 G |
| Lòt Dokiman ki gen rapò | Gid Nimewo Pati |
| En pwodwi | Sistèm tretman done |
| Fich done HTML | IPD068P03L3 G |
| Modèl EDA | IPD068P03L3GATMA1 pa Ultra Librarian |
Klasifikasyon anviwònman ak ekspòtasyon
| ATRIBITE | DESKRIPSYON |
| Estati RoHS | ROHS3 Konfòme |
| Nivo sansiblite imidite (MSL) | 1 (san limit) |
| Estati REACH | REACH San afekte |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Lòt Resous
| ATRIBITE | DESKRIPSYON |
| Lòt Non | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
| Pake estanda | 2,500 |
Tranzistò
Yon tranzistò se yonaparèy semi-conducteursabityeanplifyeoswachanjesiyal elektrik akpouvwa.Tranzistò a se youn nan blòk bilding debaz yo nan modènelektwonik.[1]Li konpoze demateryèl semi-conducteurs, anjeneral ak omwen twatèminal yopou koneksyon ak yon sikwi elektwonik.Avòltajoswaaktyèlaplike nan yon pè tèminal tranzistò a kontwole aktyèl la atravè yon lòt pè tèminal.Paske pouvwa a kontwole (pèsistans yap ogmante jiska) ka pi wo pase pouvwa a kontwole (antre), yon tranzistò ka anplifye yon siyal.Gen kèk tranzistò yo pake endividyèlman, men anpil plis yo jwenn entegre nansikui entegre yo.
Ostralyen-Ongwa fizisyen Julius Edgar Lilienfeldpwopoze konsèp atranzistò efè jadenan 1926, men li pa t posib pou konstwi yon aparèy k ap travay nan moman sa a.[2]Premye aparèy k ap travay yo dwe bati se te yontranzistò pwen-kontakenvante an 1947 pa fizisyen AmerikenJan BardeenepiWalter Brattainpandan y ap travay anbaWilliam ShockleynanBell Labs.Twa yo te pataje 1956 laPri Nobèl nan Fizikpou reyalizasyon yo.[3]Kalite tranzistò ki pi lajman itilize se lametal-oksid-semiconductor tranzistò efè jaden(MOSFET), ki te envante paMohamed AtallaepiDawon Kahngnan Bell Labs an 1959.[4][5][6]Tranzistò yo te revolisyone domèn elektwonik, e yo te fè wout la pou pi piti ak pi bon macheradyo,kalkilatris, epiòdinatè, pami lòt bagay.
Pifò tranzistò yo fèt ak pi bon kaliteSilisyòm, ak kèk soti nangermanium, men kèk lòt materyèl semi-conducteurs pafwa yo itilize.Yon tranzistò ka gen sèlman yon sèl kalite pòtè chaj, nan yon tranzistò efè jaden, oswa ka gen de kalite pòtè chaj nantranzistò junction bipolèaparèy.Konpare ak latib vakyòm, tranzistò yo jeneralman pi piti epi yo mande pou mwens pouvwa pou opere.Sèten tib vakyòm gen avantaj sou tranzistò nan frekans fonksyònman trè wo oswa vòltaj opere segondè.Anpil kalite tranzistò yo te fè nan espesifikasyon estanda pa manifaktirè miltip.
