AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC Chip Nouvo Original Sikwi entegre

deskripsyon kout:

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Atribi pwodwi

TIP	DESKRIPSYON
Kategori	Pwodwi Semiconductor Disrè Tranzistò - FETs, MOSFETs - Single
Mfr	Infineon teknoloji
Seri	OptiMOS™
Pake	Tap & Bobine (TR) Koupe tep (CT) Digi-Reel®
Estati pwodwi	Aktif
Kalite FET	N-chanèl
Teknoloji	MOSFET (oksid metal)
Drenaj Sous Voltage (Vdss)	25 V
Kouran - Drenaj kontinyèl (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 40A (Tc)
Kondwi vòltaj (Max Rds sou, Min Rds sou)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)	± 20V
Antre kapasite (Ciss) (Max) @ Vds	670 pF @ 12 V
FET Karakteristik	-
Dissipasyon pouvwa (Max)	2.1W (Ta), 26W (Tc)
Tanperati Fonksyònman	-55°C ~ 150°C (TJ)
Kalite aliye	Sifas mòn
Pake Aparèy Founisè	PG-TSDSON-8-FL
Pake / Ka	8-PowerTDFN
Nimewo pwodwi de baz	BSZ060

Dokiman & Medya

TIP RESOUS	LYEN
Fich done yo	BSZ060NE2LS
Lòt Dokiman ki gen rapò	Gid Nimewo Pati
En pwodwi	Sistèm tretman done
Modèl EDA	BSZ060NE2LSATMA1 pa Ultra Librarian BSZ060NE2LS pa SnapEDA
Modèl simulation	MOSFET OptiMOS™ 25V N-Chanèl Spice Modèl

Klasifikasyon anviwònman ak ekspòtasyon

ATRIBITE	DESKRIPSYON
Estati RoHS	ROHS3 Konfòme
Nivo sansiblite imidite (MSL)	1 (san limit)
Estati REACH	REACH San afekte
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

Lòt Resous

ATRIBITE

DESKRIPSYON

Lòt Non

BSZ060NE2LS

BSZ060NE2LS-ND

BSZ060NE2LSATMA1CT

BSZ060NE2LSDKR-ND

SP000776122

BSZ060NE2LSCT-ND

BSZ060NE2LSTR-ND

BSZ060NE2LSATMA1DKR

BSZ060NE2LSDKR

BSZ060NE2LSATMA1TR

BSZ060NE2LSCT

Pake estanda

5,000

Yon tranzistò se yon aparèy semi-conducteurs ki souvan itilize nan anplifikatè oswa switch elektwonikman kontwole.Tranzistò yo se blòk bilding debaz ki kontwole operasyon òdinatè, telefòn mobil, ak tout lòt sikui elektwonik modèn.

Akòz vitès repons rapid yo ak gwo presizyon, tranzistò yo ka itilize pou yon gran varyete fonksyon dijital ak analòg, ki gen ladan anplifikasyon, switching, regilatè vòltaj, modulation siyal ak osilator.Tranzistò yo ka pake endividyèlman oswa nan yon ti zòn ki ka kenbe 100 milyon oswa plis tranzistò kòm yon pati nan yon sikwi entegre.

Konpare ak tib elektwon an, tranzistò a gen anpil avantaj:

Eleman pa gen okenn konsomasyon

Kèlkeswa jan tib la bon, li pral piti piti deteryore akòz chanjman nan atòm katod ak flit kwonik lè.Pou rezon teknik, tranzistò yo te gen menm pwoblèm lè yo te fè premye.Avèk pwogrè nan materyèl ak amelyorasyon nan anpil aspè, tranzistò yo anjeneral dire 100 a 1,000 fwa pi long pase tib elektwonik.

Konsome anpil ti pouvwa

Li se sèlman yon dizyèm oswa dizèn nan youn nan tib la elèktron.Li pa bezwen chofe filaman an pou pwodui elektwon gratis tankou tib elèktron.Yon radyo tranzistò sèlman bezwen kèk pil sèk pou koute pou sis mwa nan yon ane, ki difisil pou fè pou radyo tib.

Pa bezwen prechofe

Travay le pli vit ke ou vire li.Pou egzanp, yon radyo tranzistò ale le pli vit ke li se limen, ak yon televizyon tranzistò mete kanpe yon foto le pli vit ke li se limen.Ekipman tib vakyòm pa ka fè sa.Apre bòt la, tann yon ti tan pou tande son an, wè foto a.Klèman, nan militè, mezi, anrejistreman, elatriye, tranzistò yo trè avantaje.

Fò ak serye

100 fwa pi serye pase tib elèktron, rezistans chòk, rezistans Vibration, ki se enprenabl tib elèktron.Anplis de sa, gwosè a nan tranzistò a se sèlman yon dizyèm nan yon sèl-santyèm nan gwosè a nan tib la elèktron, trè ti kras lage chalè, yo ka itilize nan konsepsyon ti, konplèks, sikwi serye.Malgre ke pwosesis fabrikasyon tranzistò a egzak, pwosesis la se senp, ki se fezab pou amelyore dansite enstalasyon eleman yo.

Previous: (STOCK) BSS138NH6327 nouvo & orijinal konpozan elektwonik pwodwi cho

Pwochen: KWM orijinal nouvo BSZ100 tranzistò PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS sikwi entegre IC chip nan stock

Ekri mesaj ou la a epi voye l ba nou